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傳統上，當半導體材料越薄，其缺陷對於電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響，一直是難以突破的困境。台灣大學跨國團隊研發出獨步全球的零缺陷半導體材料，透過「修復缺陷」簡單方法，讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級，可提升LED發光效能100倍。上月研究刊登在「科學」《Science》期刊。

二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性，可整合於現今半導體零件製程，被學界認為有很大潛力取代傳統矽材原料，其中中二硫化鉬（MoS2）是最熱門的半導體二維材料之一，但以目前合成製備技術，二維材料的缺陷密度還是太高，成為應用瓶頸，如何減少、控制缺陷是所有半導體材料需克服的問題。

台大跨國研究團隊透過將二維材料浸潤於一種稱為亞胺（bistriflimide）的有機超強酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，從不到1％增加到接近100％，單層薄膜能達到完美的「零缺陷」，大幅提高發光效率。技術可望用於開發透明LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度光偵測器、低功耗的奈米級電晶體等。 台大表示，這項研究的跨國研究團隊由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）教授何志浩（前台大電機系教授）、前台大校長李嗣涔等共同組成。研究的共同第一作者連德軒，今年剛完成博士口試，本學期將畢業，現已在加州柏克萊大學執行科技部第二年的龍門計畫，畢業後則將繼續在加州大學柏克萊分校繼續擔任博士後研究員。

資料來源: http://udn.com/news/story/9/1398357-%E5%8F%B0%E5%A...