全球市場研究機構TrendForce針對2020年科技產業發展，整理十大科技趨勢，今年受美中貿易戰影響，全球半導體產業呈現衰退，展望明年，雖然市場仍存在不確定性，但在5G、AI、車用等需求挹注下，將帶動半導體產業逐漸脫離谷底。
TrendForce表示，IC設計業者將導入新一代矽智財、強化ASIC與晶片客製化能力，並加速在7奈米 EUV與5奈米的應用。在製造方面，7奈米節點的採用率增加，5奈米量產及3奈米研發的時程更加明朗，先進製程製造的占比將進一步提升。
此外，化合物半導體材料如SiC、GaN與GaAs等，具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性，適合用於功率半導體、射頻開關元件等領域，在5G、電動車等應用備受重視。
由於晶片線寬微縮及運算效能提升，使先進封裝技術逐漸朝向SiP（系統級封裝）方向發展；相較於SoC（系統單晶片），SiP的組成結構更靈活且具成本優勢，更能符合AI、5G與車用等晶片的發展需求。
TrendForce指出，DRAM將往EUV與下世代DDR5／LPDDR5邁進，NAND則突破100層疊堆技術；現有DRAM面臨摩爾定律已達物理極限的挑戰，製程已來到1X／1Y／1Znm，進一步微縮不僅無法帶來大量的供給位元成長，反而成本降低的難度提升。
DRAM廠目前在1Y與1Znm製程將開始將單顆晶片顆粒的容量由現有主流8Gb提升至16Gb，使得高容量模組的滲透率逐漸升高，並且有機會在1Znm開始導入EUV機台，逐漸取代現有的double patterning技術。
以DRAM的世代轉換來說，DDR5與LPDDR5將在2020年問世，進行導入與樣本驗證，相較於現有的DDR4／LPDDR4X來說，將會更省電、速度更快。
NAND Flash市場將首次挑戰突破100層的疊堆技術，並將單一晶片容量從512Gb提升至1Tb門檻。主要為因應5G、AI、邊緣運算等持續發展，除了智慧型手機、伺服器／資料中心需要更大的儲存容量外，更要求單一儲存裝置的體積進一步微縮。
除了NAND Flash晶片的進化，智慧型手機上儲存介面也會從現有UFS 2.1規格，升級至更快速的UFS 3.X版本。在伺服器／資料中心方面，SSD產品也會導入比PCIe G3速度與效能快一倍的PCIe G4介面。兩樣新產品明年將鎖定高階市場。
文章來源https://udn.com/news/story/7240/4081212
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