意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出新款晶片M系列 650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案,適用於暖通空調系統(HVAC)馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。

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採用ST的第三代溝槽式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗製程,M系列IGBT擁有一個全新溝槽╱通道閘(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構,能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點,從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時,最小短路耐受時間為6μs,175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命,同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。

此外,新產品封裝亦整合新一代穩流二極體(Free-wheeling Diode)。新款二極體提供快速恢復功能,並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能,還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布,使新產品能夠安全平行,並滿足更大功率的要求。

ST是全球領先的半導體解決方案供應商,為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新解決方案。從能源管理和節能技術到數位信任和資料安全,從醫療健身設備到智慧型消費性電子,從家電、汽車到辦公設備,從工作到娛樂,ST的微電子元件技術無所不在,在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活的理念。

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文章來源:https://tw.news.yahoo.com/意法半導體-新晶片應用廣-215005665--finance.html

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