隨著5G、電動車等新應用興起，氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等第三代半導體後市看好，台廠在晶圓代工龍頭台積電領頭下積極卡位，包括世界先進（5347）、漢磊、嘉晶、茂矽等也搶進未來每年高達10億美元的新世代半導體材料應用商機。
據研究機構IHS與Yole預測，碳化矽晶圓的全球電力與功率半導體市場產值，將從去年13億美元擴增至2025年的52億美元，龐大商機也讓許多IDM、矽晶圓與晶圓代工廠爭相擴大布局。
據悉，台積電已小量提供6吋矽基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓代工服務，650伏特和100伏特氮化鎵積體電路技術平台預計今年開發完成；今年初，台積電也宣布結盟意法半導體，意法半導體將採用台積電的氮化鎵製程技術生產氮化鎵產品，加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市，攜手搶攻電動車市場商機。
台積電總裁魏哲家日前公開指出，氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性，該公司在氮化鎵製程技術進展不錯，符合客戶要求，雖然目前還小量生產，他看好未來氮化鎵應用前景，預期將會廣泛且大量被使用。
至於台積電轉投資的世界先進，在氮化鎵領域也投資研發多年，預計今年底前送樣給客戶進行產品驗證，初期供應電源相關應用產品；世界先進與設備材料廠Kyma及轉投資氮化鎵矽基板廠Qromis攜手合作，著眼開發可做到8吋的新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST，今年底前送樣客戶做產品驗證，瞄準電源應用。
不僅台積電與世界先進積極投入，漢磊、嘉晶、茂矽等中小型業者也在既有技術利基下，揮軍第三代半導體領域。
漢磊SiC 6吋產能已在試產，客戶端以電動車需求最大，其他也有資料中心客戶，漢磊日前表示，隨下半年驗證結果陸續出爐，明年對出貨量、營收貢獻有望逐步墊高。至於嘉晶，GaN on Si已完成650V磊晶平台開發，並開發GaN on SiC及GaN on Si磊晶應用於射頻（RF）的產品，GaN on SiC預計年底驗證完成，GaN on Si則於明年驗證完成。
茂矽方面，開始逐步導入絕緣閘雙極電晶體（IGBT）、矽基氮化鎵（GaN-on-Si）等製程，可望搶下消費性市場訂單。
資料來源https://money.udn.com/money/story/5612/4873814
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